絕大多數(shù)半導(dǎo)體器件是在單晶片或以單晶片為襯底的外延片上作出的。成批量的半導(dǎo)體單晶都是用熔體生長(zhǎng)法制成的。直拉法應(yīng)用 廣，8％的硅單晶、大部分鍺單晶和銻化銦單晶是用此法生產(chǎn)的，其中硅單晶的直徑已達(dá)3毫米。在熔體中通入磁場(chǎng)的直拉法稱為磁控拉晶法，用此法已生產(chǎn)出高均勻性硅單晶。在坩堝熔體表面加入液體覆蓋劑稱液封直拉法，用此法拉制 、磷化鎵、磷化銦等壓較大的單晶。懸浮區(qū)熔法的熔體不與容器接觸，用此法生長(zhǎng)高純硅單晶。

　　需外置旁路接觸器的軟起動(dòng)器，電壓系列為380V，功率規(guī)格為7.5KW到500KW；具有負(fù)載適應(yīng)性強(qiáng)、運(yùn)行穩(wěn)定可靠等特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于冶金、石油、消防、礦山、供水、市政、食品、水泥、石化等領(lǐng)域的電機(jī)傳動(dòng)設(shè)備，是傳統(tǒng)的星--三角起動(dòng)、自藕降壓起動(dòng)理想的更新?lián)Q代產(chǎn)品。

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